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TIP115TU PDF预览

TIP115TU

更新时间： 2024-11-19 18:56:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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TIP115TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP115TU 数据手册

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TIP115/116/117  
Monolithic Construction With Built In Base-  
Emitter Shunt Resistors  
•
•
•
•
High DC Current Gain : h =1000 @ V = -4V, I = -1A (Min.)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Industrial Use  
FE CE C  
Complementary to TIP110/111/112  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
C
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP116  
: TIP117  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP115  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP116  
: TIP117  
CEO  
EBO  
R1  
R2  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
V
A
I
I
I
- 2  
C
E
R1 10 k Ω  
R2 0.6 k Ω  
-4  
- 50  
A
CP  
B
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
2
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP115  
: TIP116  
: TIP117  
I
= -30mA, I = 0  
-60  
-80  
-100  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP116  
: TIP117  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP115  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP116  
: TIP117  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -4V,I = -1A  
1000  
500  
FE  
CE  
CE  
C
= -4V, I = -2A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
I
= -2A, I = -8mA  
-2.5  
-2.8  
200  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= -4V, I = -2A  
C
CE  
CB  
C
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP115TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP115G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TIP115 STMICROELECTRONICS

功能相似

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TIP115U2 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP115UA MOTOROLA

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 		暂无描述
TIP115W MOTOROLA

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TIP115WD MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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