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TIP127 PDF预览

TIP127

更新时间： 2024-10-31 22:42:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

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TIP127 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.59
Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - TIP127 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V TO-220其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.015
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP127 数据手册

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TIP125/126/127  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP120/121/122  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
CBO  
: TIP126  
: TIP127  
B
Collector-Emitter Voltage : TIP125  
- 60  
- 80  
- 100  
V
V
V
V
V
: TIP126  
: TIP127  
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 5  
- 5  
V
A
R1  
R2  
I
I
I
C
E
R1 8 k Ω  
R2 0.12 k Ω  
- 8  
A
CP  
B
- 120  
2
mA  
W
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
65  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP125  
: TIP126  
: TIP127  
I
= -100mA, I = 0  
-60  
-80  
-120  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CEO  
V
V
V
= -30V, I = 0  
-2  
-2  
-2  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP126  
: TIP127  
= -40V, I = 0  
B
= -50V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP125  
CBO  
V
V
V
= -60V, I = 0  
-1  
-1  
-1  
mA  
mA  
mA  
CB  
CB  
CB  
E
: TIP126  
: TIP127  
= -80V, I = 0  
E
= -100V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -5V, I = 0  
-2  
mA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
= -3V, I = 0.5A  
1000  
1000  
FE  
CE  
BE  
CE  
CE  
C
= -3V, I = -3A  
C
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
= -3A, I = -12mA  
-2  
-4  
V
V
C
B
I =-5A, I =-20mA  
C
B
V
* Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
V
= -3V, I = -3A  
-2.5  
300  
V
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, I = 0, f = 0.1MHz  
pF  
ob  
E
* Pulse Test : PW≤300µs, Duty cycle ≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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TIP127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP125 FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear Switching Applications
TIP115 FAIRCHILD

类似代替

 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

与TIP127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP127_08 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Darlington Transistor
TIP127_09 UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP127_15 UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP12716 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP12716A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP127-6200 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6203 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6226 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP127-6255 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP127-6258 RENESAS

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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