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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP105AU
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TIP105AU

更新时间： 2024-11-19 13:14:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP105AU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP105AU 数据手册

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by TIP100/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105  
= 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106  
= 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 2.5 Vdc (Max) @ I = 8.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
*MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP100,  
TIP105  
TIP101,  
TIP106  
TIP102,  
TIP107  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100 VOLTS  
80 WATTS  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
15  
Adc  
Adc  
Base Current  
I
B
1.0  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
80  
0.64  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
E
30  
mJ  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
1.56  
62.5  
θJC  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
θJA  
(1) I = 1.1 A, L = 50 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 20 V, R = 100 Ω.  
BE  
C
CC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
2.0 40  
T
C
1.0 20  
T
A
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP105C MOTOROLA

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 		8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP105D1 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
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TIP105LEADFREE CENTRAL

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TIP105N MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP105O STMICROELECTRONICS

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 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
TIP105PNP CDIL

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 		PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP105TU ONSEMI

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 		暂无描述
TIP105U MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

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