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TIP105TU

更新时间： 2024-11-06 13:00:35
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
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6页 221K
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by TIP100/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105  
= 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106  
= 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 2.5 Vdc (Max) @ I = 8.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
*MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP100,  
TIP105  
TIP101,  
TIP106  
TIP102,  
TIP107  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100 VOLTS  
80 WATTS  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
15  
Adc  
Adc  
Base Current  
I
B
1.0  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
80  
0.64  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
E
30  
mJ  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
1.56  
62.5  
θJC  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
θJA  
(1) I = 1.1 A, L = 50 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 20 V, R = 100 Ω.  
BE  
C
CC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
2.0 40  
T
C
1.0 20  
T
A
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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TIP105TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP32CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP41CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP127G ONSEMI

类似代替

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与TIP105TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP105U MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP105U2 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP105UA MOTOROLA

获取价格

 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP105W MOTOROLA

获取价格

 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP105WD MOTOROLA

获取价格

 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP105Y STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
TIP106 TRSYS

获取价格

 		PNP SILICON POWER DARLINGTONS
TIP106 POINN

获取价格

 		PNP SILICON POWER DARLINGTONS
TIP106 COMSET

获取价格

 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
TIP106 ISC

获取价格

 		isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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