TIP106

更新时间： 2024-11-19 08:48:47

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美微科 - MCC		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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4页	259K
描述
PNP Plastic Medium-Power Silicon Transistors

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TIP106 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TIP106 数据手册

M C C

TIP105

TIP106

TIP107

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

•

High DC Current Gain : h_FE=2500 (Typ) @ I_C=4.0Adc

PNP Plastic

Medium-Power

Silicon Transistors

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors

TO-220 Compact package

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

Rating

Collector-Emitter Voltage

Rating

Unit

100

TO-220

TIP105

TIP106

TIP107

TIP105

TIP106

TIP107

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CP

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-continuous

Collector Current-peak

Base Current

5.0

8.0

1.0

Collector Dissipation @T_C=25^OC

0.64

-55 to +150

P_D

Derate above 25 ^OC

Junction Temperature

Storage Temperature

W/ ^OC

^OC

T_J,

T_STG

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_CEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

(I_C=30mAdc, I_B=0)

TIP105

TIP106

TIP107

100

---

Vdc

I_CEO

Collector Cut-off Current

(V_CE=30Vdc, I_B=0)

(V_CE=40Vdc, I_B=0)

TIP105

TIP106

TIP107

---

uAdc

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

BASE

COLLECTOR

EMITTER

(V_CE=50Vdc, I_B=0)

I_CBO

Collector Cut-off Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0)

TIP105

TIP106

TIP107

---

uAdc

mAdc

----

(V_CB=80Vdc, I_E=0)

DIMENSIONS

INCHES

(V_CB=100Vdc, I_E=0)

Emitter Cut-off Current

(V_BE=5.0Vdc, I_C=0)

MIN

14.22

9.65

MAX

15.88

10.67

NOTE

DIM

MIN

MAX

.625

I_EBO

.560

.380

.140

---

8.0

.420

.190

ON CHARACTERISTICS(1)

3.56

4.82

.020

.139

.190

---

.045

.161

.110

.250

.025

0.51

3.53

2.29

---

1.14

4.09

2.79

6.35

0.64

h_FE(1)

DC Current Gain

(I_C=3.0Adc, V_CE=4.0Vdc)

(I_C=8.0Adc, V_CE=4.0Vdc)

1000

200

20000

---

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=3.0Adc, I_B=6.0mAdc)

(I_C=8.0Adc, I_B=80mAdc)

.012

0.30

---

2.0

2.5

.500

.045

.580

.060

12.70

1.14

14.73

1.52

Vdc

---

V_BE(ON)

hfe

Base-Emitter On Voltage

(I_C=8.0Adc,V_CE=4.0Adc)

.190

.210

4.83

5.33

---

4.0

---

2.8

---

.100

.080

.045

.230

-----

.135

.115

.055

.270

.050

-----

2.54

2.04

1.14

5.84

-----

3.43

2.92

1.39

6.86

1.27

-----

Small-Signal Current Gain

(I_C=3.0Adc,V_CE=4.0Vdc,f=1.0MHz)

Output Capacitance

C_ob

(V_CB=10V, I_E=0, f=0.1MHz)

300

.045

1.15

(1) Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2%

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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