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TIP102

更新时间： 2024-09-14 02:54:23

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CDIL		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	320K
描述
PLASTIC POWER TRANSISTORS

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TIP102 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TIP102 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PLASTIC POWER TRANSISTORS

TIP100 TIP105

TIP101 TIP106

TIP102 TIP107

NPN

PNP

TO-220

Plastic Package

Intended for use in Linear Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

TIP100/105

TIP101/106

TIP102/107

100

DESCRIPTION

UNIT

V_CEO

Collector Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

100

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Collector Current Peak

Base Current

I_CM

I_B

Power Dissipation upto T_c=25ºC

Power Dissipation upto T_a=25ºC

P_D

Derate above 25ºC

Operating And Storage

Junction Temperature

mW/ºC

T_j, T_stg

- 65 to +150

ºC

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_{th (j-c)}

R_{th (j-a)}

1.56

62.5

ºC/W

Junction to Ambient in free air

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_c=25ºC unless specified otherwise)

MIN

MAX

DESCRIPTION

Collector Cut Off Current

SYMBOL

TEST CONDITION

UNIT

V_CE=30V, I_B=0

V_CE=40V, I_B=0

V_CE=50V, I_B=0

TIP100/105

TIP101/106

TIP102/107

CEO

I_CBO

V =60V, I_E=0

V_CB=80V, I_E=0

V_CB=100V, I_E=0

TIP100/105

TIP101/106

TIP102/107

Collector Cut Off Current

V_EB=5V, I_C=0

I_C=30mA, I_B=0

8.0

Emitter Cut Off Current

EBO

*V_CEO(sus)

100

TIP100/105

TIP101/106

TIP102/107

Collector Emitter (sus) Voltage

*V_{CE (sat)}

I_C=3A, I_B=6mA

2.0

2.5

Collector Emitter Saturation

Voltage

I_C=8A, I_B=80mA

I_C=8A, V_CE=4V

I_C=3A,V_CE=4V

I_C=8A, V_CE=4V

BE(on)

2.8

Base Emitter On Voltage

DC Current Gain

*h_FE

1,000

200

20,000

Forward Voltage of Commutation

Diode

*V_F

I_F=I_C=10A, I_B=0

6.0

*Pulse Test : Pulse Width=300ms, Duty Cycle < 2%

Data Sheet

Page 1 of 3

Continental Device India Limited

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TIP102_03	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP102_15	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP102-6200	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6203	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6226	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6255	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP102-6258	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6261	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6263	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP102-6264	RENESAS	获取价格	8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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