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TGBLH6601-S8

更新时间： 2024-04-09 19:03:00

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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8页	589K
描述
60V, -60V, N+P Channel MOSFETs

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TGBLH6601-S8 数据手册

P＋N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TGBLH6601-S8

Ratings and Characteristics Curves-N (@ T_A= 25C unless otherwise specified)

2.5

1.5

0.5

100

125

150

100

125

150

T_A(℃)

Fig 1 Power Dissipation

Fig 2 Drain Current

V_GS= 4.5V

V_GS= 5V

V_GS= 6V ~…

V_GS= 4.5V

V_GS= 4V

V_GS= 3.5V

V_GS= 10V

V_GS= 3V

V_GS= 2.5V

V_DS(V)

I_D(A)

Fig 3 Typical Output Characteristics

Fig 4 On-Resistance vs. Drain Current

and Gate Voltage

100

I_D= 5A

150℃

25℃

150℃

25℃

-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_GS(V)

V_SD(V)

Fig 5 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig 6 Body-Diode Characteristics

MTM0933A: December 2023 [2.0]

www.gmesemi.com

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