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TC7SG32AFS

更新时间： 2024-11-21 04:28:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 175K
描述
2 Input OR Gate

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TC7SG32AFS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SON包装说明：VSOF, FL6,.03,14
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.62
Is Samacsys：N系列：LVP
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e0
长度：1 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：OR GATE最大I（ol）：0.0003 A
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSOF封装等效代码：FL6,.03,14
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：56 ns
传播延迟（tpd）：56 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：0.5 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.9 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子节距：0.35 mm
端子位置：DUAL宽度：0.8 mm
Base Number Matches：1

TC7SG32AFS 数据手册

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TC7SG32AFS  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SG32AFS  
2 Input OR Gate  
Features  
•
High-level output current:  
I /I = ±8 mA (min)  
OH OL  
at V  
= 3.0 V  
CC  
•
High-speed operation: t = 2.4 ns (typ.)  
pd  
at V  
= 3.3 V,15pF  
CC  
•
•
Operating voltage range: V  
5.5-V tolerant inputs.  
= 0.9~3.6 V  
CC  
SON5-P-0.35  
(fSV)  
Weight: 0.001 g (typ.)  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
Product name  
IN A  
GND  
IN B  
V
CC  
1
2
3
5
4
W 4  
OUT Y  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
−0.5~4.6  
−0.5~7.0  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5~ V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20 (Note 1)  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
50  
D
Storage temperature  
T
−65~150  
stg  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1:  
V
OUT  
< GND, V > V  
OUT CC  
2007-11-01  
1
123456

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