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TC7SH00F,LJ(CT

更新时间： 2024-01-31 12:35:10

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TC7SH00F,LJ(CT 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	LSSOP,	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.55
系列：	HC/UH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
长度：	2.9 mm	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	传播延迟（tpd）：	13 ns
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.6 mm
Base Number Matches：	1

TC7SH00F

CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic

TC7SH00F

1. Functional Description

•

2-Input NAND Gate

2. Features

(1) AEC-Q100 (Rev. H) (Note 1)

(2) Wide operating temperature range: Topr = -40 to 125  (Note 2)

(3) High speed operation: tpd = 3.7 ns (typ.) (VCC = 5.0 V, CL = 15 pF)

(4) Low power dissipation: ICC = 2.0 µA (max) (Ta = 25 )

(5) 5.5 V tolerant inputs

(6) Balanced Propagation Delay: tPLH ≈ tPHL

(7) Wide operating voltage range: VCC = 2.0 to 5.5 V

Note 1: This device is compliant with the reliability requirements of AEC-Q100. For details, contact your Toshiba sales

representative.

Note 2: For devices with the ordering part number ending in J(CT. Topr = -40 to 85  for the other devices.

3. Packaging

SMV

Start of commercial production

1993-09

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

2017-12-21

Rev.3.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC7SH00F,LJ(T	TOSHIBA	NAND Gate	获取价格
TC7SH00F_09	TOSHIBA	2-Input NAND Gate	获取价格
TC7SH00FE	TOSHIBA	2 Input NAND Gate	获取价格
TC7SH00FE(TE85L)	TOSHIBA	IC,LOGIC GATE,2-INPUT NAND,CMOS,FP,6PIN,PLASTIC	获取价格
TC7SH00FE(TE85L,F)	TOSHIBA	IC,LOGIC GATE,2-INPUT NAND,CMOS,FP,6PIN,PLASTIC	获取价格
TC7SH00FS	TOSHIBA	2 Input NAND Gate	获取价格