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TC7SH00FE

更新时间: 2024-11-21 04:28:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
2 Input NAND Gate

TC7SH00FE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SON包装说明:0.50 MM PITCH, PLASTIC, SON-5
针数:5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63Is Samacsys:N
系列:LV/LV-A/LVX/HJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e0长度:1.6 mm
负载电容(CL):50 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.004 A功能数量:1
输入次数:2端子数量:5
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSOF
封装等效代码:FL6,.047,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE电源:2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:13 ns传播延迟(tpd):13 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:0.6 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:1.2 mmBase Number Matches:1

TC7SH00FE 数据手册

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TC7SH00FE  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SH00FE  
2 Input NAND Gate  
Features  
Super high speed operation :t  
= 3.7 ns (typ.)  
= 5 V  
PD  
@V  
CC  
Low power dissipation : I  
= 2 µA (Max.)  
CC  
@ Ta = 25°C  
= V  
High noise immunity : V  
NIH  
NIH  
= 28% V  
(Min.)  
CC  
5.5V tolerant input.  
voltage range : V  
(opr) = 2~5.5 V  
CC  
Wide operation  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
Type name  
IN B  
IN A  
GND  
V
CC  
1
2
3
5
H 1  
OUT Y  
4
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Supply voltage range  
DC input voltage  
V
0.5~7  
0.5~7  
V
V
CC  
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
0.5~V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
150  
D
Storage temperature  
T
65~150  
stg  
1
2004-06-21  

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