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TC7SGU04FE(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-21 21:21:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
IC,LOGIC GATE,INVERTER,CMOS,FP,6PIN,PLASTIC

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TC7SGU04FE(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DFP, FL6,.047,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83JESD-30 代码：R-PDFP-F6
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.003 A端子数量：6
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DFP
封装等效代码：FL6,.047,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK包装方法：TAPE AND REEL
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：56 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
子类别：Gates表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：FLAT端子节距：0.5 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

TC7SGU04FE(TE85L,F) 数据手册

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TC7SGU04FE  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SGU04FE  
Inverter (Unbuffered)  
Features  
•
•
High output current: ±8 mA (min) at V  
= 3 V  
CC  
Super high speed operation: t = 1.9 ns (typ.)  
pd  
at V  
= 3.3 V,15pF  
CC  
•
•
Operating voltage range: V  
= 0.9 to 3.6 V  
CC  
3.6-V tolerant input  
(ESV)  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
Product name  
NC  
1
2
3
5
V
CC  
W 6  
IN A  
GND  
4
OUT Y  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 4.6  
−0.5 to 4.6  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20 (Note 1)  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
150  
D
Storage temperature  
T
−65 to 150  
stg  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1:  
V
OUT  
< GND, V > V  
OUT CC  
2009-09-24  
1
123456

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