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TC55V2161FT-10

更新时间: 2024-11-07 22:09:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 473K
描述
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM

TC55V2161FT-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC55V2161FT-10 数据手册

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