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TC55V2325FF-100

更新时间： 2024-11-07 22:18:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		存储内存集成电路静态存储器栅
页数	文件大小	规格书
20页	1161K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC55V2325FF-100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.1 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55V2325FF-7	TOSHIBA	获取价格	IC 64K X 32 STANDARD SRAM, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQ
TC55V328AJ-15	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM
TC55V328AJ-17	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 CACHE SRAM, 17 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM
TC55V328AJ-20	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM
TC55V328BFT-12	TOSHIBA	获取价格	32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM
TC55V328BFT-15	TOSHIBA	获取价格	32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM
TC55V328BJ	TOSHIBA	获取价格	32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM
TC55V328BJ-12	TOSHIBA	获取价格	32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM
TC55V328BJ-15	TOSHIBA	获取价格	32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM
TC55V328J-20	TOSHIBA	获取价格	IC 32K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM