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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP48,.55,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 12.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.55,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V200TR-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, T |
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| TC55V200TR-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TS |
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| TC55V200TR-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TS |
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| TC55V200UB-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48, 9 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Sta |
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| TC55V2161FT | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
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| TC55V2161FT-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
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| TC55V2161FT-10L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
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| TC55V2161FT-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
|
| TC55V2161FT-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
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| TC55V2161FTI | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD BY 16 BIT STATIC RAM |
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