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TC558128BJ-12

更新时间: 2024-09-14 22:24:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 358K
描述
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM

TC558128BJ-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ32,.44
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.96 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.19 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC558128BJ-12 数据手册

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