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TC55257DFL-85V

更新时间: 2024-10-27 22:22:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
13页 498K
描述
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT

TC55257DFL-85V 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP28,.5针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
最长访问时间:150 ns其他特性:USER SELECTABLE 5V VCC
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.5 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.7 mm
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.8 mm
Base Number Matches:1

TC55257DFL-85V 数据手册

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