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TC55257DFTI-70V

更新时间: 2024-02-07 04:33:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 437K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28, Static RAM

TC55257DFTI-70V 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:PLASTIC, TSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.08
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

TC55257DFTI-70V 数据手册

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