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TC55257DTRI-70V

更新时间: 2024-11-25 19:54:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 674K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO28, 0.55 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28, Static RAM

TC55257DTRI-70V 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP, TSSOP28,.53,22针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.6
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

TC55257DTRI-70V 数据手册

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