生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.63 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | USER SELECTABLE 5V VCC |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
长度: | 37 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.3 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55257DTRI | TOSHIBA |
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STATIC RAM | |
TC55257DTRI-70L | TOSHIBA |
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32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257DTRI-70V | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO28, 0.55 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28, Stati | |
TC55257DTRI-85L | TOSHIBA |
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32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC55257DTRI-85V | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDSO28, 0.55 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28, Stati | |
TC55257DTRL | TOSHIBA |
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32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM | |
TC55257DTRL-55L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM | |
TC55257DTRL-55V | TOSHIBA |
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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | |
TC55257DTRL-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM | |
TC55257DTRL-70V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |