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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 长度： | 37 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.3 mm |
| 最大待机电流： | 0.000015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TC55257DPL-70L | TOSHIBA |
功能相似  |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
|
| CXK58257AP-70LL | SONY |
功能相似 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55257DPI-70V | TOSHIBA |
获取价格 |
STATIC RAM |
|
| TC55257DPI-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPI-85V | TOSHIBA |
获取价格 |
STATIC RAM |
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| TC55257DPL | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-55L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-55V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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| TC55257DPL-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-70V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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| TC55257DPL-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-85V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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