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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.3 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55257DPL | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-55L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-55V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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| TC55257DPL-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-70V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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| TC55257DPL-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD-8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DPL-85V | TOSHIBA |
获取价格 |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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| TC55257DTRI | TOSHIBA |
获取价格 |
STATIC RAM |
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| TC55257DTRI-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
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| TC55257DTRI-70V | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDSO28, 0.55 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28, Stati |
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