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TC55257DFTI-85L

更新时间: 2024-11-24 22:53:15
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东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页 437K
描述
32,768 WORD x 8 BIT STATIC RAM

TC55257DFTI-85L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:0.55 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

TC55257DFTI-85L 数据手册

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