是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | ULTRA LOW CAPACITANCE | 最小击穿电压: | 16.5 V |
击穿电压标称值: | 16.5 V | 最大钳位电压: | 33.9 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 16 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ESD7002WTT1G | ONSEMI |
完全替代 |
Transient Voltage Suppressors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZESD7004MUTAG | ONSEMI |
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ESD Protection Diode with Low Capacitance | |
SZESD7008MUTAG | ONSEMI |
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ESD Protection Diode, High Speed Data, Low Capacitance | |
SZESD7016 | ONSEMI |
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Low Capacitance ESD Protection USB3.0 | |
SZESD7016MUTAG | ONSEMI |
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Low Capacitance ESD Protection USB3.0 | |
SZESD7102BT1G | ONSEMI |
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汽车短路至电池功能,低电容 ESD 保护二极管,用于高速数据线 | |
SZESD7104MTWTAG | ONSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
SZESD7104MUTAG | ONSEMI |
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ESD 保护,低电容,高速数据 | |
SZESD7205DT5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7205M3T5G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes | |
SZESD7205WTT1G | ONSEMI |
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ESD Protection Diodes |