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SVSP60R190P7D4

更新时间： 2024-10-15 18:09:51

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-247-3L

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SVSP60R190P7D4 数据手册

士兰微电子

SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4 说明书

20A, 600V 超结 MOS功率管

描述

SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4 N 沟道增强型高压功

率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损

耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP60R190FJD(D)(T)(P7)(L8A)(K)D4 应用广泛。如，适

用于硬/软开关拓扑。

TO-220-3L

D(2)

G(1)

S(3)

1.栅极 2.漏极 3.源极

DFN-4-8x8x0.85-2.0

特点



20A，600V，R_DS(on)(typ.)=0.165@V_GS=10V

创新高压技术

TO-262-3L

TO-220FJD-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-252-2L

TO-247-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS@T_J.max

V_GS(th)

参数值

650

单位

2.5~4.5

0.19

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

P60R190D4

P60190D4

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVSP60R190FJDD4

SVSP60R190DD4TR

SVSP60R190TD4

SVSP60R190P7D4

SVSP60R190L8AD4TR

SVSP60R190KD4

TO-220FJD-3L

TO-252-2L

无卤

编带

TO-220-3L

P60R190TD4

P60R190D4

P60190D4

无卤

料管

TO-247-3L

无卤

料管

DFN-4-8x8x0.85-2.0

TO-262-3L

无卤

编带

P60R190D4

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

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