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SVSP65R180P7D4

更新时间： 2024-10-15 18:09:59

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士兰微 - SILAN		/
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13页	596K
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TO-247-3L

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SVSP65R180P7D4 数据手册

士兰微电子

SVSP65R180FJD(P7)(L8A)D4 说明书

24A, 650V 超结 MOS功率管

描述

SVSP65R180FJD(P7)(L8A)D4 N 沟道增强型高压功率 MOSFET

采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损

耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP65R180FJD(P7)(L8A)D4 应用广泛。如，适用于硬/

软开关拓扑。

D(2)

G(1)

S(3)

DFN-4-8x8x0.85-2.0

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



24A，650V，R_DS(on)(typ.)=0.15@V_GS=10V

创新高压技术

TO-220FJD-3L

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-247-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS@T_J.max

V_GS(th)

参数值

700

单位

3.0~4.0

0.18

R_DS(on)

，



max.

I_D.pulse

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVSP65R180FJDD4

SVSP65R180P7D4

SVSP65R180L8AD4TR

TO-220FJD-3L

TO-247-3L

P65R180D4

P65180D4

料管

编带

无卤

DFN-4-8x8x0.85-2.0

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 13 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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