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SVS60R360FJDE3

更新时间: 2024-04-09 19:00:26
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 537K
描述
TO-220FJD-3L

SVS60R360FJDE3 数据手册

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士兰微电子  
SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 说明书  
典型特性曲线  
7. 体二极管正向压降 vs. 源极电流、温度  
8. 电容特性  
100  
10000  
1000  
100  
10  
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)  
Coss=Cds+Cgd  
Crss=Cgd  
Ciss  
Coss  
Crss  
-55°C  
25°C  
150°C  
10  
1
1
注:  
注:  
1.250µS 脉冲测试  
2.VGS=0V  
1. VGS=0V  
2. f=1MHz  
0.1  
0.1  
0.0  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
漏源电压 - VDS(V)  
源漏电压 – VSD(V)  
9. 电荷量特性  
10. 击穿电压 vs. 温度特性  
12  
10  
8
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
VDS=480V  
VDS=300V  
VDS=120V  
6
4
注:  
1. VGS=0V  
2. ID=250μA  
2
注:ID=11A  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
总栅极电荷 – Qg(nC)  
结温 – TJ(°C)  
11. 导通电阻 vs. 温度特性  
12-1. 最大安全工作区域(SVS60R360FJH/FJDE3)  
102  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
100µs  
101  
1ms  
10ms  
100  
DC  
此区域工作受限于  
RDS(ON)  
10-1  
注:  
1. VGS=10V  
2. ID=5.5A  
: TC=25°C  
10-2  
100  
101  
漏源电压- VDS(V)  
102  
103  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
结温 – TJ (°C)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.3  
10 页 第 5 页  
http: //www.silan.com.cn  

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