士兰微电子
SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 说明书
典型特性曲线
图 7. 体二极管正向压降 vs. 源极电流、温度
图8. 电容特性
100
10000
1000
100
10
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
Ciss
Coss
Crss
-55°C
25°C
150°C
10
1
1
注:
注:
1.250µS 脉冲测试
2.VGS=0V
1. VGS=0V
2. f=1MHz
0.1
0.1
0.0
0
100
200
300
400
500
600
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
漏源电压 - VDS(V)
源漏电压 – VSD(V)
图 9. 电荷量特性
图 10. 击穿电压 vs. 温度特性
12
10
8
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
VDS=480V
VDS=300V
VDS=120V
6
4
注:
1. VGS=0V
2. ID=250μA
2
注:ID=11A
0
0
5
10
15
20
25
30
-100
-50
0
50
100
150
200
总栅极电荷 – Qg(nC)
结温 – TJ(°C)
图 11. 导通电阻 vs. 温度特性
图 12-1. 最大安全工作区域(SVS60R360FJH/FJDE3)
102
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
100µs
101
1ms
10ms
100
DC
此区域工作受限于
RDS(ON)
10-1
注:
1. VGS=10V
2. ID=5.5A
注: TC=25°C
10-2
100
101
漏源电压- VDS(V)
102
103
-100
-50
0
50
100
150
200
结温 – TJ (°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.3
共 10 页 第 5 页
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