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SVGP104R5NAT

更新时间: 2024-04-09 19:03:18
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 359K
描述
TO-220-3L

SVGP104R5NAT 数据手册

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士兰微电子  
SVGP104R5NAT(S)说明书  
典型特性曲线  
1. 输出特性  
2. 传输特性  
100  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
VGS=5.0V  
VGS=5.5V  
VGS=6.0V  
VGS=6.5V  
VGS=8.0V  
VGS=10V  
-55°C  
25°C  
150°C  
80  
60  
40  
20  
注:  
注:  
1. VDS=5V  
2. 250µS脉冲测试  
1.250µS 脉冲测试  
2.Tc=25°C  
0
0
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
7
8
漏源电压 – VDS(V)  
-源电压 - VGS (V)  
3. 导通电阻 vs. 漏电流  
4. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度  
1000  
100  
10  
6
VGS=10V  
VGS=20V  
-55°C  
25°C  
150°C  
5
4
3
2
1
0
1.0  
注:  
1. VGS=0V  
2. 250µS脉冲测试  
注:TJ=25°C  
0.1  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
源漏电压 - VSD (V)  
漏电流 - ID (A)  
5. 电容特性  
6. 栅极电荷特性  
105  
104  
103  
102  
101  
100  
12  
10  
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=短路)  
Coss=Cds+Cgd  
Crss=Cgd  
VDS=80V  
VDS=50V  
VDS=20V  
8
6
4
2
0
Ciss  
注:  
1. VGS=0V  
2. f=1MHz  
Coss  
Crss  
注: ID=20A  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
总栅极电荷 - QG (nC)  
-源电压 - VDS(V)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.2  
8 页 第 4 页  
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