士兰微电子
SVGP104R5NAT(S)说明书
典型特性曲线
图 1. 输出特性
图 2. 传输特性
100
350
300
250
200
150
100
50
VGS=5.0V
VGS=5.5V
VGS=6.0V
VGS=6.5V
VGS=8.0V
VGS=10V
-55°C
25°C
150°C
80
60
40
20
注:
注:
1. VDS=5V
2. 250µS脉冲测试
1.250µS 脉冲测试
2.Tc=25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
7
8
漏源电压 – VDS(V)
栅-源电压 - VGS (V)
图 3. 导通电阻 vs. 漏电流
图 4. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度
1000
100
10
6
VGS=10V
VGS=20V
-55°C
25°C
150°C
5
4
3
2
1
0
1.0
注:
1. VGS=0V
2. 250µS脉冲测试
注:TJ=25°C
0.1
0
20
40
60
80
100
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源漏电压 - VSD (V)
漏电流 - ID (A)
图 5. 电容特性
图 6. 栅极电荷特性
105
104
103
102
101
100
12
10
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=短路)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=80V
VDS=50V
VDS=20V
8
6
4
2
0
Ciss
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
Coss
Crss
注: ID=20A
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
总栅极电荷 - QG (nC)
漏-源电压 - VDS(V)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.2
共 8 页 第 4 页
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