士兰微电子
SVGP157R2NS 说明书
100A、150V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVGP157R2NS N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰
的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1
3
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
100A,150V,RDS(on)(典型值)=6.2m@VGS=10V
低栅极电荷量
1
低反向传输电容
3
TO-263-2L
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
产品规格分类
产品名称
封装形式
打印名称
环保等级
包装方式
TO-263-2L
P157R2NS
无卤
编带
SVGP157R2NSTR
极限参数(除非特殊说明,TA=25C)
参数
符号
VDS
VGS
参数值
150
单位
V
漏源电压
栅源电压
±20
V
TC=25°C
100
漏极电流
ID
A
TC=100°C
93
漏极脉冲电流(注 1)
耗散功率(TC=25C)
-大于 25C 每摄氏度减少
IDM
PD
400
A
W
313
2.1
W/C
mJ
C
单脉冲雪崩能量
工作结温范围
贮存温度范围
(注 2)
EAS
TJ
825
-55~+175
-55~+175
Tstg
C
热特性
参数值
参数
符号
单位
最小值
典型值
0.35
--
最大值
0.48
芯片对表面热阻,底部
芯片对环境的热阻
RθJC
RθJA
--
--
C/W
C/W
62.5
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.4
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