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SVGP157R2NS

更新时间： 2024-11-15 15:19:47

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
8页	380K
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TO-263-2L

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SVGP157R2NS 数据手册

士兰微电子

SVGP157R2NS 说明书

100A、150V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP157R2NS N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



100A，150V，R_DS(on)_{（典型值）}=6.2m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-263-2L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

TO-263-2L

P157R2NS

无卤

编带

SVGP157R2NSTR

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

150

单位

漏源电压

栅源电压

±20

T_C=25°C

100

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流（注 1）

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

I_DM

P_D

400

313

2.1

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 2）

E_AS

T_J

825

-55～+175

T_stg

C

热特性

参数值

参数

符号

单位

最小值

典型值

0.35

最大值

0.48

芯片对表面热阻，底部

芯片对环境的热阻

R_θJC

R_θJA

C/W

62.5

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共 8 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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