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SVGP15751PL3

更新时间： 2024-11-15 17:01:51

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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9页	427K
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SVGP15751PL3 数据手册

士兰微电子

SVGP15751PL3 说明书

-3A、-150V P沟道增强型场效应管

描述

SVGP15751PL3 P 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士

兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点



-3A，-150V，R_DS(on)_{（典型值）}=665m@V_GS=-10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

PDFN-8-3.3×3.3×0.75-0.65

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

-150

单位

-2.0~-4.0

750

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D

m

-3.0

4.5

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

PDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65

打印名称

环保等级

无卤

包装方式

SVGP15751PL3TR

1575

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 9 页第 1 页

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