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SVGP159R3NL5A

更新时间： 2024-11-15 15:19:39

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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12页	493K
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SVGP159R3NL5A 数据手册

士兰微电子

SVGP159R3NL5A(L5)说明书

87A、150V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP159R3NL5A(L5) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

G 4

特点



87A，150V，R_DS(on)_{（典型值）}=7.9 m@V_GS=10V

低栅极电荷量

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

DFN-8-5×6×0.9-1.27

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

150

单位

3.0~4.6

9.3

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

P159R3N

环保等级

无卤

包装方式

SVGP159R3NL5ATR

SVGP159R3NL5TR

DFN-8-5X6X0.9-1.27

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

编带

P159R3NL5

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.9

共 12 页第 1 页

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