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SVGP159R3NL5A

更新时间: 2024-03-03 10:11:20
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 493K
描述
PDFN5*6

SVGP159R3NL5A 数据手册

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士兰微电子  
SVGP159R3NL5A(L5)说明书  
87A150V N沟道增强型场效应管  
描述  
S
S
S
D
D
D
1
2
3
8
7
6
SVGP159R3NL5A(L5) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采  
用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具  
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
5 D  
G 4  
特点  
87A150VRDS(on)(典型值)=7.9 m@VGS=10V  
低栅极电荷量  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
无铅管脚镀层  
DFN-8-5×6×0.9-1.27  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
150  
单位  
V
3.0~4.6  
9.3  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
87  
40  
nC  
Qg.typ  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
P159R3N  
环保等级  
无卤  
包装方式  
SVGP159R3NL5ATR  
SVGP159R3NL5TR  
DFN-8-5X6X0.9-1.27  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
编带  
编带  
P159R3NL5  
无卤  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.9  
12 页 第 1 页  

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