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SVGP20500NL5

更新时间: 2024-11-16 17:01:31
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 410K
描述
PDFN5*6

SVGP20500NL5 数据手册

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士兰微电子  
SVGP20500NL5 说明书  
24A200V N沟道增强型场效应管  
描述  
S
S
S
G
D
1
2
3
4
8
7
6
SVGP20500NL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰的 LVMOS 工艺技术制造进的工艺及元胞结构使得该产品具有较  
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
D
D
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
5 D  
特点  
24A200VRDS(on)(典型值)=42m@VGS=10V  
低栅极电荷  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
200  
单位  
V
2.0~4.0  
50  
V
VGS(th)  
RDS(on)  
m  
A
max.  
24  
ID  
20  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVGP20500NL5TR  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
P20500NL5  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.4  
10 页 第 1 页  

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14 Pin and 6 Pin / SMD / HCMOS / VCXO Oscillator