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SVGQ041R3NL5V-2HS

更新时间： 2024-11-16 15:18:19

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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士兰微电子

SVGQ041R3NL5V-2HS 说明书

190A、40V N沟道增强型场效应管

描述

SVGQ041R3NL5V-2HS N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

可应用于 12V 电机控制系统、Start-stop micro-hybrid 等。

特点



符合 AEC-Q101 标准

190A，40V，R_DS(on)_{（典型值）}=1.1m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

可用于增强光学检测的可润湿侧翼

最大结温：T_jmax_。=175ºC

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

2.4~3.4

1.3

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

190

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27

打印名称

环保等级

包装方式

无卤

编带

SVGQ041R3NL5V-2HSTR

Q41R3-2HS

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 10 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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