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SVGP104R5NT

更新时间： 2024-03-03 10:09:27
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 326K
描述
TO-220-3L

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SVGP104R5NT 数据手册

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士兰微电子  
SVGP104R5NT(S)说明书  
120A、100V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVGP104R5NT(S) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较  
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
1
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
3
特点  
1.栅极 2.漏极 3.源极  
低栅极电荷量  
低反向传输电容  
开关速度快  
提升了 dv/dt 能力  
1
3
1
2
3
TO-220-3L  
TO-263-2L  
产品规格分类  
产品名称  
SVGP104R5NT  
SVGP104R5NS  
SVGP104R5NSTR  
封装形式  
TO-220-3L  
TO-263-2L  
TO-263-2L  
打印名称  
P104R5NT  
P104R5NS  
P104R5NS  
环保等级  
无铅  
包装方式  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号：1.1  
共 8 页 第 1 页  
12345678

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