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SVGP157R5NT

更新时间： 2024-11-15 17:01:39

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士兰微 - SILAN		/
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11页	424K
描述
TO-220-3L

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SVGP157R5NT 数据手册

士兰微电子

SVGP157R5NT(P7)说明书

100A、150V N沟道增强型场效应管

描述

SVGP157R5NT(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



100A，150V，R_DS(on)_{（典型值）}=6.2m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

TO-247-3L

100%雪崩测试

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

150

单位

2.0~4.0

7.5

V_GS(th)

R_DS(on)

，

m

max

100

I_D

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

SVGP157R5NT

SVGP157R5NP7

封装形式

TO-220-3L

TO-247-3L

打印名称

P157R5NT

P157R5

环保等级

无卤

包装方式

料管

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 11 页第 1 页

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