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SVGQ109R5NAD

更新时间: 2024-11-16 15:17:59
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 424K
描述
TO252-2L

SVGQ109R5NAD 数据手册

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士兰微电子  
SVGQ109R5NAD 说明书  
94A100V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVGQ109R5NAD N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较  
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
1
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
94A100VRDS(on)(典型值)=7.2m@VGS=10V  
低栅极电荷  
低反向传输电容  
1
开关速度快  
3
提升了 dv/dt 能力  
TO-252-2L  
100%雪崩测试  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
最大结温:Tjmax.=175C  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
100  
单位  
V
1.4~2.4  
9.5  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
94  
49  
nC  
Qg.typ  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SVGQ109R5NADTR  
TO-252-2L  
Q109R5NA  
无卤  
编带  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.1  
10 页 第 1 页  

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