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SVGQ042R8NL5V-2HS

更新时间: 2024-11-16 17:01:43
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士兰微 - SILAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 417K
描述
PDFN5*6

SVGQ042R8NL5V-2HS 数据手册

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士兰微电子  
SVGQ042R8NL5V-2HS 说明书  
112A40V N沟道增强型场效应管  
描述  
S
S
D
1
2
3
4
8
7
6
5
SVGQ042R8NL5V-2HS N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采  
用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具  
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
可应用于 12V 汽车电机控制系统、Start-stop micro-hybrid 等。  
D
D
S
G
D
特点  
112A40VRDS(on)(典型值)=2.3m@VGS=10V  
低栅极电荷  
低反向传输电容  
开关速度快  
PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27  
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
可用于增强光学检测的可润湿侧翼  
最大结温:Tjmax.=175ºC  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
40  
单位  
V
2.4~3.4  
2.8  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
112  
39  
nC  
Qg.typ  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
无卤  
编带  
SVGQ042R8NL5V-2HSTR  
Q42R8-2HS  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.1  
10 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn  

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