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SVG066R5NSA

更新时间： 2024-04-09 18:59:49

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士兰微 - SILAN		/
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SOP-8

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士兰微电子

SVG066R5NSA 说明书

典型特性曲线(续)

图7. 电容特性

图 8. 电荷量特性

12

10

10000

1000

100

10

Ciss

Coss

Crss

V_DS=48V

V_DS=30V

V_DS=12V

8

6

4

2

0

Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)

Coss=Cds+Cgd

注：

1. V_GS=0V

2. f=1MHz

Crss=Cgd

注： I_D=16.5A

1

0

10

20

30

40

50

60

0

5

10

15

20

25

30

35

总栅极电荷 - Q_G(nC)

漏源电压 - V_DS(V)

图 9. 击穿电压 vs. 温度特性

图 10. 导通电阻 vs. 温度特性

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

注：

1. V_GS=10V

2. I_D=16.5A

注：

1. V_GS=0V

2. I_D=250uA

-100 -50

0

50

100 150 200

-100 -50

0

50

100

150

200

结温 - T_J(°C)

结温 - T_J(°C)

图 12. 耗散功率 vs. 温度

图11. 最大安全工作区域

10²

10¹

10⁰

5

10µs

100µs

4

3

2

1

0

1ms

10ms

DC

此区域工作受限于R_DS(ON)

10^-1

10^-2

Note: T_C=25°C

10²

10^-2

10^-1

漏源电压 – V_DS(V)

10⁰

10¹

0

25 50 75 100 125 150 175

温度 - T_C(°C)

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 8 页第 5 页

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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