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SVG096R5NS

更新时间: 2024-11-19 15:19:07
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
9页 339K
描述
TO-263-2L

SVG096R5NS 数据手册

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士兰微电子  
SVG096R5NT(S)(KL)说明书  
120A90V N沟道增强型场效应管  
描述  
2
SVG096R5NT(S)(KL) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用  
士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有  
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
1
3
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
1
1
3
2
3
120A90VRDS(on)(典型值)=5.2m@VGS=10V  
低栅极电荷量  
TO-263-2L  
TO-262L-3L  
低反向传输电容  
开关速度快  
1
2
3
TO-220-3L  
提升了 dv/dt 能力  
产品规格分类  
产品名称  
SVG096R5NT  
SVG096R5NS  
SVG096R5NSTR  
SVG096R5NKL  
封装形式  
TO-220-3L  
TO-263-2L  
TO-263-2L  
TO-262L-3L  
打印名称  
096R5NT  
096R5NS  
096R5NS  
096R5NKL  
环保等级  
无铅  
包装方式  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.4  
9 页 第 1 页  

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