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SVG086R0ND

更新时间： 2024-03-03 10:09:33

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士兰微 - SILAN		/
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9页	434K
描述
TO-252-2L

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SVG086R0ND 数据手册

士兰微电子

SVG086R0NT(S)(D)(L5)说明书

120A、80V N沟道增强型场效应管

描述

SVG086R0NT(S)(D)(L5) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管

采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品

具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

G 4

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，80V，R_DS(on)_{（典型值）}=5.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

TO-220-3L

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-263-2L

TO-252-2L

产品规格分类

产品名称

SVG086R0NT

封装形式

TO-220-3L

打印名称

086R0NT

086R0NS

086R0ND

086R0NL5

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVG086R0NS

TO-263-2L

无卤

料管

SVG086R0NSTR

SVG086R0NDTR

SVG086R0NL5TR

TO-263-2L

无卤

编带

TO-252-2L

无卤

编带

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.4

共 9 页第 1 页

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