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SVG083R6NAL5

更新时间： 2024-11-19 17:01:11

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士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	420K
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SVG083R6NAL5 数据手册

士兰微电子

SVG083R6NAL5 说明书

138A、80V N沟道增强型场效应管

描述

SVG083R6NAL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

特点



138A，80V，R_DS(on)_{（典型值）}=3.0m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

2.0~4.0

3.6

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

138

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVG083R6NAL5TR

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

083R6NA

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 10 页第 1 页

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