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SVG094R1NT

更新时间： 2024-11-22 15:19:11

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
10页	378K
描述
TO-220-3L

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SVG094R1NT 数据手册

士兰微电子

SVG094R1NT(S)(KL)说明书

120A、90V N沟道增强型场效应管

描述

SVG094R1NT(S)(KL) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，90V，R_DS(on)_{（典型值）}=3.4m@V_GS=10V

低栅极电荷量

TO-263-2L

TO-262L-3L

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220-3L

产品规格分类

产品名称

SVG094R1NT

SVG094R1NS

SVG094R1NSTR

SVG094R1NKL

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-262L-3L

打印名称

094R1NT

094R1NS

094R1NKL

环保等级

包装方式

料管

无铅

无卤

无铅

料管

编带

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.5

共 10 页第 1 页

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