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SVG086R5NT

更新时间： 2024-11-19 17:01:03

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士兰微 - SILAN		/
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7页	328K
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TO-220-3L

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SVG086R5NT 数据手册

士兰微电子

SVG086R5NT 说明书

120A、85V N沟道增强型场效应管

描述

SVG086R5NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的

LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，85V，R_DS(on)_{（典型值）}=5.4m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装

SVG086R5NT

TO-220-3L

086R5NT

无铅

料管

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参数名称

漏源电压

符号

参数值

单位

V_DS

V_GS

±20

栅源电压

T_C=25°C

120

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

480

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

165

1.32

W/C

C

E_AS

T_J

240

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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