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SVG083R4NS

更新时间： 2024-11-19 15:16:51

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士兰微 - SILAN		/
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10页	415K
描述
TO-263-2L

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SVG083R4NS 数据手册

士兰微电子

SVG083R4NT(S)(P7)说明书

120A、80V N沟道增强型场效应管

描述

SVG083R4NT(S)(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

TO-263-2L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



120A，80V，R_DS(on)_{（典型值）}=3.0m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

TO-220-3L

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

TO-247-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

2.0~4.0

3.4

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

120

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

SVG083R4NT

SVG083R4NS

SVG083R4NSTR

SVG083R4NP7

封装形式

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-247-3L

打印名称

083R4NT

083R4NS

083R4NP7

环保等级

无铅

包装方式

料管

无卤

料管

无卤

编带

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 10 页第 1 页

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