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SVG083R4NT

更新时间: 2024-11-19 15:16:51
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
10页 415K
描述
TO-220-3L

SVG083R4NT 数据手册

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士兰微电子  
SVG083R4NT(S)(P7)说明书  
120A80V N沟道增强型场效应管  
2
描述  
SVG083R4NT(S)(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采  
用士兰的 LVMOS 工艺技术制造进的工艺及元胞结构使得该产品具  
有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
1
1
3
3
TO-263-2L  
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
120A80VRDS(on)(典型值)=3.0m@VGS=10V  
低栅极电荷  
低反向传输电容  
1
2
开关速度快  
3
TO-220-3L  
提升了 dv/dt 能力  
100%雪崩测试  
TO-247-3L  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
80  
单位  
V
2.0~4.0  
3.4  
V
VGS(th)  
RDS(on),max  
ID  
m  
A
120  
94  
nC  
Qg.typ  
产品规格分类  
产品名称  
SVG083R4NT  
SVG083R4NS  
SVG083R4NSTR  
SVG083R4NP7  
封装形式  
TO-220-3L  
TO-263-2L  
TO-263-2L  
TO-247-3L  
打印名称  
083R4NT  
083R4NS  
083R4NS  
083R4NP7  
环保等级  
无铅  
包装方式  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
编带  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.0  
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