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SVG075R5NT

更新时间： 2024-11-19 15:18:43

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士兰微 - SILAN		/
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9页	346K
描述
TO-220-3L

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SVG075R5NT 数据手册

士兰微电子

SVG075R5NT 说明书

110A、70V N沟道增强型场效应管

描述

SVG075R5NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的

LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



110A，70V，R_{DS(on)（典型值）}=4.6m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

TO-220-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

单位

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

2.0~4.0

5.5

m

110

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVG075R5NT

TO-220-3L

075R5NT

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

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