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SVG066R5NSA

更新时间： 2024-04-09 18:59:49

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士兰微 - SILAN		/
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SOP-8

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SVG066R5NSA 数据手册

士兰微电子

SVG066R5NSA 说明书

关键特性参数(除非特殊说明，T_j=25C)

参数

符号

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

V_DS=60V，V_GS=0V，T_j=25°C

V_DS=60V，V_GS=0V，T_j=125°C

V_GS=±20V，V_DS=0V

V_GS= V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=16.5A

V_GS=4.5V，I_D=14.5A

f=1MHz

最小值

典型值

最大值

单位

漏源击穿电压

BV_DSS

1.0

µA

漏源漏电流

I_DSS

0.8

栅源漏电流

I_GSS

±100

2.2

6.5

栅极开启电压

V_GS(th)

1.2

5.2

8.5

2.1

1648

658

m



导通电阻

R_DS(on)

栅极电阻

R_G

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输入电容

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=30V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=30V，V_GS=10V，R_G=3Ω，

I_D=16.5A

t_d(off)

t_f

(注 3，4)

Q_g

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

栅极-平台电压

Q_gs

7.2

7.0

4.0

V_DD=30V，V_GS=10V，I_D=16.5A

(注 3，4)

Q_gd

Vplateau

源-漏二极管特性参数

参数

源极电流

符号

I_S

测试条件

MOS 管中源极、漏极构成的反偏

P-N 结

最小值

典型值

最大值

16.5

单位

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=16.5A，V_GS=0V

I_S=16.5A，V_GS=0V，

1.4

µC

dIF/dt=100A/µs

(注 3)

Q_rr

0.03

注：

脉冲宽度=5μs；

L=0.5mH，I_AS=24A，V_DD=48V，R_G=25，开始温度 T_J=25C；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 8 页第 3 页

http: //www.silan.com.cn

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