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SVG069R5ND

更新时间： 2024-11-19 15:19:39

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士兰微 - SILAN		/
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9页	341K
描述
TO-252-2L

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SVG069R5ND 数据手册

士兰微电子

SVG069R5ND(MJ)(T)说明书

60A、60V N沟道增强型场效应管

描述

SVG069R5ND(MJ)(T) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具

有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。

TO-252-2L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



60A，60V，R_DS(on)_{（典型值）}=8m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-251J-3L

TO-220-3L

产品规格分类

产品名称

SVG069R5NDTR

SVG069R5NMJ

SVG069R5NT

封装形式

TO-252-2L

TO-251J-3L

TO-220-3L

打印名称

069R5ND

069R5NMJ

069R5NT

环保等级

无卤

包装方式

编带

无卤

料管

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 9 页第 1 页

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