生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0033 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUM90N06-4M4P | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N06-4M4P-E3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N06-5M5P | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N06-5M5P-E3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N08-4M8P | VISHAY |
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N-Channel 75-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N08-4M8P-E3 | VISHAY |
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N-Channel 75-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N08-6M2P | VISHAY |
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N-Channel 75-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N08-6M2P-E3 | VISHAY |
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N-Channel 75-V (D-S) MOSFET | |
SUM90N08-7M6P | VISHAY |
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SUM90N08-7m6P | |
SUM90N08-7M6P-E3 | VISHAY |
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SUM90N08-7m6P |