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SUN2310SG

更新时间： 2024-11-25 05:34:47

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描述
P 沟道 MOSFET SUN2310SG,带散热片配套充电IC的PMOS管

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SUN2310SG 数据手册

无日晟微子有限公司

SUN2310

P 沟道MOSFET SUN2310SG

描述：

特点：

-30V/-4A

R_DS(ON)=90mΩ@ V_GS=-10V,I_D=-4A

_DS(ON)=110mΩ@ V_GS=-4.5V,I_D=-3A

SUN2310SG P 沟道增强型功率场效

应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟

道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通

电阻。

z 超大密度单元、极小的R_DS(ON)

）

SOP8

z 采用带散热片的

封装（散热片和D端短接）

SUN2310SG 适用于低压应用，例如移动电

话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电

路。

引脚排列图：

典型应用:

z 电源管理

z 负载开关

z 电池保护

极限参数:

参数

漏级电压

栅级电压

漏级电流

允许最大功耗

工作温度

存贮温度

符号

V_DSS

V_GSS

I_D

极限值

-30V

±20

单位

-4

P_D

℃

T_Opr

T_stg

150

-65/150

www.sunriseic.net

sales@sunriseic.net

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