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SUM90N08-4M8P

更新时间： 2024-11-16 06:14:55

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威世 - VISHAY		/
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6页	107K
描述
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET

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SUM90N08-4M8P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES

SUM90N08-4M8P 数据手册

SUM90N08-4m8P

Vishay Siliconix

N-Channel 75-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ)

175 °C Junction Temperature

100 % UIS Tested

90^d

0.0048 at V_GS= 10 V

0.006 at V_GS= 8 V

RoHS

105

COMPLIANT

APPLICATIONS

•

Power Supply

- Half-Bridge

- Secondary Synchronous Rectification

• Industrial

TO-263

D S

Top View

Ordering Information: SUM90N08-4m8P-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

90^d

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 175 °C)

I_D

90^d

240

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy^a

E_AS

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

245

300^b

3.75

Maximum Power Dissipation^a

P_D

_A= 25 °C^c

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 175

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Junction-to-Ambient (PCB Mount)^c

Symbol

Limit

Unit

R_thJA

°C/W

R_thJC

Junction-to-Case (Drain)

0.5

Notes:

a. Duty cycle ≤ 1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).

d. Package limited.

Document Number: 74458

S-71663-Rev. C, 06-Aug-07

www.vishay.com

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